株式会社多摩川電子


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半導体バーンイン装置(DC、RF)

BURN-IN TESTING SYSTEM

burnin1

feature

特徴

半導体バーンイン装置(DC、RF)について


本装置は高周波デバイス(以下FET)の通電試験装置です。
信頼性評価や量産時のスクリーニング用にRF通電、またはDC通電を行い、FET実装治具(以下治具)にFETを実装し、高温下にてバーンイン試験を実施することができます。
CH数やFETパッケージ、試験条件に合わせたシステム構築をご提案致します。

1.多様な装置構成

・用途に応じ、ホットプレート(ヒーター)タイプ、恒温槽タイプを選択可能です。
・試験条件設定、通電試験、データ取得までを全自動化が可能です。
・任意のFETに合わせ冶具形状(バネタイプ、ワンタッチタイプ)をカスタマイズ可能です。

2.発振に強い

・1968年創業時より蓄積された高周波回路技術を駆使し、発振しにくい治具を実現しました。
・大手半導体メーカ様の各種ラインナップに対応しており、特殊なFETにも自社開発により柔軟に対応可能です。
※発振とは、半導体の異常動作の一種で、FETを破損してしまう可能性があります。

3.安定動作が可能

・ハードウェア(電子回路)通電制御により、高温時の半導体が不安定動作になる現象を抑制します。これにより、素早い通電制御が可能であり高温時でも安定した動作を実現致します。

・停電や非常停止など緊急時にもお客様のFETを壊すことなく安全に装置を停止する安全回路を搭載しています。計測用PCとの通信断となっても装置内に測定データを保持できますので測定データをムダにしません。

治具
治具


製品一覧

DCバーンイン試験用装置

半導体DCバーンイン装置
(DC BURN-IN TESTING SYSTEM)
DCバーンイン試験用

FETのゲート・ドレインに規定のバイアス電圧を印加し、通電致します。試作評価用、量産用等、任意の試験条件を設定し、信頼性試験が可能な装置です。

製品の詳細

RFバーンイン試験用装置

半導体RFバーンイン装置
(RF BURN-IN TESTING SYSTEM)
RFバーンイン試験用

FETに規定の高周波信号を印加し、高温下で入出力特性を測定する試験装置です。自社開発のRF信号発生部、ハイパワーアンプにより、ご要望に沿ったカスタマイズが可能です。

製品の詳細

DCバーンイン試験用装置

半導体DCバーンイン装置
(DC BURN-IN TESTING SYSTEM)
DCバーンイン試験用

FETのゲート・ドレインに規定のバイアス電圧を印加し、通電致します。試作評価用、量産用等、任意の試験条件を設定し、信頼性試験が可能な装置です。


環境仕様

使用温度範囲 +15℃~+35℃(クリーンルーム内を想定)
(装置設置環境)

製品仕様

装置仕様

型名 半導体DCバーンイン装置
搭載デバイス数
(1システムあたり)
最大60個(ホットプレートタイプ)
最大64個(恒温槽タイプ)
加熱方式 ホットプレート or 恒温槽
使用温度範囲 常温~230℃
温度測定点 デバイス直下(ホットプレート)
周囲温度(恒温槽)
FET治具タイプ ワンタッチタイプ、バネタイプ
温度上昇時間 常温 → 最高温度:45分
※最高温度はご相談下さい。
温度下降時間 最高温度 → 槽内温度40℃:45分
ゲート電源 0V~-20V / 1A(1CHあたり)
ドレイン電源 0V~+80V / 3.5A(1CHあたり)
リップルノイズ 100mVpp以下
ゲート電圧分解能 10mV(手動入力タイプ)
ゲート電流分解能 10uA
ドレイン電圧分解能 10mV(手動入力タイプ)
ドレイン電流分解能 10mA
測定間隔 最少60s~最大3600s
設定方法 ・Vg/Vd 電圧、試験温度設定
計測用ソフトウェア起動時に手動入力タイプ(マニュアル)or 全自動タイプ(オート)を選択可能

手動入力タイプ
・Vg/Vd電圧・電流、試験温度設定はお客様の操作にて行います。

全自動タイプ
・計測用ソフトウェアが試験条件ファイルを取り込みVg/Vd電圧・電流、試験温度、測定間隔、通電時間の設定を自動で行います。

データ取得方法 データロガータイプ
or
測定器自動制御タイプ
供給電源 AC200V

※対応FETによる

治具仕様

型名 半導体DCバーンイン装置用
ドレイン電圧範囲 10V~80V
デバイス発熱量 10W~100W
使用温度範囲 周囲温度25℃~200℃

※対応FETによる

治具外観

ワンタッチタイプ

ワンタッチタイプ

波形データ

ワンタッチタイプ


バネタイプ

バネタイプ

装置接続イメージ

装置接続イメージ

システム構成

DCバーンイン試験 ヒータータイプ(ホットプレート)システム構成例

DCバーンイン試験 ヒータータイプ(ホットプレート)システム構成例

DCバーンイン試験 恒温槽タイプ システム構成例

DCバーンイン試験 恒温槽タイプ システム構成例


DCバーンイン試験 恒温槽タイプ システム構成例

RFバーンイン試験用装置

半導体RFバーンイン装置
(RF BURN-IN TESTING SYSTEM)
RFバーンイン試験用

FETに規定の高周波信号を印加し、高温下で入出力特性を測定する試験装置です。自社開発のRF信号発生部、ハイパワーアンプにより、ご要望に沿ったカスタマイズが可能です。


環境仕様

使用温度範囲 +15℃~+35℃(クリーンルーム内を想定)
(装置設置環境)

製品仕様

装置仕様

型名 半導体RFバーンイン装置
搭載デバイス数
(1システムあたり)
16個
加熱方式 ホットプレート
使用温度範囲 常温~250℃
温度測定点 デバイス直下
FET治具タイプ ワンタッチタイプ、バネタイプ
RF周波数 4GHz、5.6GHz、9.6GHz、14GHz
入力電力 4GHz:20W(+43dBm)
5.6GHz:20W(+43dBm)
9.6GHz:20W(+43dBm)
14GHz:10W(+30dBm)
出力電力 最大200W(+53dBm)まで対応
温度上昇時間 常温 → 最高温度:45分
※最高温度はご相談下さい。
温度下降時間 最高温度 → 槽内温度40℃:45分
ゲート電源 0V~-20V / 1A(1CHあたり)
ドレイン電源 0V~+80V / 3.5A(1CHあたり)
リップルノイズ 100mVpp以下
ゲート電圧分解能 10mV(手動入力タイプ)
ゲート電流分解能 10uA
ドレイン電圧分解能 10mV(手動入力タイプ)
ドレイン電流分解能 10mA
測定間隔 最少60s~最大3600s
設定方法 ・Vg/Vd 電圧、試験温度設定
計測用ソフトウェア起動時に手動入力タイプ(マニュアル) or 全自動タイプ(オート)を選択可能

手動入力タイプ
・Vg/Vd電圧・電流、試験温度設定はお客様の操作にて行います。

全自動タイプ
・計測用ソフトウェアが試験条件ファイルを取り込みVg/Vd電圧・電流、試験温度、測定間隔、通電時間の設定を自動で行います。

データ取得方法 データロガータイプ
or
測定器自動制御タイプ
供給電源 AC200V

※対応FETによる

治具仕様

型名 半導体RFバーンイン装置用
周波数範囲 3000MHz~15GHz
デバイス発熱量 50W~200W
使用温度範囲 周囲温度25℃~200℃

※対応FETによる

治具外観

ワンタッチタイプ

ワンタッチタイプ

波形データ

ワンタッチタイプ


バネタイプ

バネタイプ

装置接続イメージ

装置接続イメージ

システム構成

RFバーンイン試験 システム構成例

RFバーンイン試験 システム構成例

※このカタログに記載された仕様・外観は製品の改良のため、お断りなしに変更する場合がございますので、ご了承下さい。