光デバイスバーンイン装置BURN-IN SYSTEM

本装置は、光デバイス用バーンイン試験装置です。信頼性評価や量産時のエージング試験において任意の温度でバイアスを印可し、電流、電圧、温度を測定します。
当社では、お客様のご要求に基づいた装置を柔軟にカスタム対応することで、 RFデバイス用(FET)バーンイン装置の開発・製造業務を受託させていただきました。
この度、 RFデバイス用バーンイン装置の技術を応用して光デバイス用バーンイン装置も製品ラインナップに加えることとなりました。

特徴

• １．装置構成
  • 光デバイス形状は、チップ、CAN 、バタフライに対応可能です。
  • 多CH 同時通電が可能です。
  • 温度コントロールは、ヒータタイプ、ペルチェタイプ、恒温槽タイプを選択可能です。
  • 試験条件設定、通電試験、データ取得まで全自動で行います。

 

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• ２．安定動作
• 長期通電前に、デバイスと治具の接触確認を行うコンタクトチェック機能があります。
• 駆動回路は、サージやチャタリング等が発生しない回路構成です。
• 停電や非常停止など緊急時にもお客様のデバイスを壊すことなく安全に装置を停止する安全回路を搭載しています。