半導体RFバーンイン装置 試験用RF BURN-IN TESTING SYSTEM

半導体RFバーンイン装置 試験用

本装置は高周波デバイス(以下FET)の通電試験装置です。信頼性評価や量産時のスクリーニング用にRF通電、またはDC通電を行い、FET実装治具(以下治具)にFETを実装し、高温下にてバーンイン試験を実施することができます。CH数やFETパッケージ、試験条件に合わせたシステム構築をご提案致します。

  • 1.多様な装置構成
    • 用途に応じ、ホットプレート(ヒーター)タイプ、恒温槽タイプを選択可能です。
    • 試験条件設定、通電試験、データ取得までを全自動化が可能です。
    • 任意のFETに合わせ冶具形状(バネタイプ、ワンタッチタイプ)をカスタマイズ可能です。
  • 2.発振に強い
    • 1968年創業時より蓄積された高周波回路技術を駆使し、発振しにくい治具を実現しました。
    • 大手半導体メーカ様の各種ラインナップに対応しており、特殊なFETにも自社開発により柔軟に対応可能です。
      ※発振とは、半導体の異常動作の一種で、FETを破損してしまう可能性があります。
  • 3.安定動作が可能
    • ハードウェア(電子回路)通電制御により、高温時の半導体が不安定動作になる現象を抑制します。これにより、素早い通電制御が可能であり高温時でも安定した動作を実現致します。
    • 停電や非常停止など緊急時にもお客様のFETを壊すことなく安全に装置を停止する安全回路を搭載しています。計測用PCとの通信断となっても装置内に測定データを保持できますので測定データをムダにしません。

 


FETに規定の高周波信号を印加し、高温下で入出力特性を測定する試験装置です。自社開発のRF信号発生部、ハイパワーアンプにより、ご要望に沿ったカスタマイズが可能です。

環境共通仕様

  • 使用温度範囲
    +15℃~+35℃
    (装置設置環境)

製品仕様

装置仕様

型名半導体RFバーンイン装置
搭載デバイス数
(1システムあたり)
16個
加熱方式ホットプレート
使用温度範囲常温~250℃
温度測定点デバイス直下
FET治具タイプワンタッチタイプ、バネタイプ
RF周波数4GHz、5.6GHz、9.6GHz、14GHz
入力電力4GHz:20W(+43dBm)
5.6GHz:20W(+43dBm)
9.6GHz:20W(+43dBm)
14GHz:10W(+30dBm)
出力電力最大200W(+53dBm)まで対応
温度上昇時間常温 → 最高温度:45分
※最高温度はご相談下さい。
温度下降時間最高温度 → 槽内温度40℃:45分
ゲート電源0V~-20V / 1A(1CHあたり)
ドレイン電源0V~+80V / 3.5A(1CHあたり)
リップルノイズ100mVpp以下
ゲート電圧分解能10mV(手動入力タイプ)
ゲート電流分解能10uA
ドレイン電圧分解能10mV(手動入力タイプ)
ドレイン電流分解能10mA
測定間隔最少60s~最大3600s
設定方法※下記注釈をご参照ください。
データ取得方法データロガータイプ
or
測定器自動制御タイプ
供給電源AC200V

※対応FETによる
※設定方法:

  • Vg/Vd 電圧、試験温度設定
    計測用ソフトウェア起動時に手動入力タイプ(マニュアル) or 全自動タイプ(オート)を選択可能です。
  • 手動入力タイプ
    Vg/Vd電圧・電流、試験温度設定はお客様の操作にて行います。
  • 全自動タイプ
    計測用ソフトウェアが試験条件ファイルを取り込みVg/Vd電圧・電流、試験温度、測定間隔、通電時間の設定を自動で行います。

 

治具仕様

型名半導体RFバーンイン装置用
周波数範囲3000MHz~15GHz
デバイス発熱量50W~200W
使用温度範囲周囲温度25℃~200℃

※対応FETによる

 

治具外観

ワンタッチタイプ

 

バネタイプ

 

装置接続イメージ

システム構成

RFバーンイン試験 システム構成例

 

※ここに記載された仕様・外観は製品の改良のため、お断りなしに変更する場合がございますので、ご了承下さい。